FGA40N65SMD - ON Semiconductor
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Kynix Teil #: KY13-FGA40N65SMD
Hersteller Teil #: FGA40N65SMD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT Transistors 650V, 40A Field Stop IGBT
Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
FGA40N65SMD Datenblatt
FGA40N65SMD Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Factory Lead Time
6 Weeks
Contact Plating
Tin
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Number of Pins
3
Weight
6.401g
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 40A, 6 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
92 ns
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Packaging
Tube
Published
2008
JESD-609 Code
e3
Pbfree Code
yes
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Additional Feature
LOW CONDUCTION LOSS
HTS Code
8541.29.00.95
Max Power Dissipation
349W
Rise Time-Max
28ns
Element Configuration
Single
Power Dissipation
349W
Input Type
Standard
Turn On Delay Time
12 ns
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
650V
Max Collector Current
80A
Reverse Recovery Time
42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 40A
IGBT Type
Field Stop
Gate Charge
119nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
Td (on/off) @ 25°C
12ns/92ns
Switching Energy
820μJ (on), 260μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
6V
Fall Time-Max (tf)
17ns
Height
20.1mm
Length
16.2mm
Width
5mm
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FGA40N65SMD Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| FGA40N65SMD | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT Transistors 650V, 40A Field Stop IGBT | |
| FGH40N60SMDF | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins | |
| STGW39NC60VD | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| FGA30N65SMD | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT Transistors 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT | |
| STGW30NC60VD | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube |
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT Transistors 650V, 40A Field Stop IGBT
Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
Lagerbestand: 51000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 4.94640
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $4.94640 |
| 10+: | $4.66641 |
| 100+: | $4.40228 |
| 500+: | $4.15309 |
| 1000+: | $3.91801 |
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